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Prof. Giampiero de Cesare


 

    Prof. Giampiero de Cesare


    Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione, Elettronica e Telecomunicazioni
    Università "La Sapienza" di Roma
    Via Eudossiana, 18
    00184 Roma, Italia

 

 

 

 

Responsabile del laboratorio di Tecnologie Microelettroniche del Dipartimento.

 

Titolare dei corsi di:

 

Elettronica, per Ingegneria Informatica, sede di Roma.

Elettronica I (I mod.), per Ingegneria Informatica, sede di Latina.  

Elettronica I, per Ingegneria dell'Informazione, sede di Latina.

Tecnologie e Processi per l'elettronica, per la Laurea Specialistica in Ingegneria Elettronica


decesare@die.uniroma1.it
Phone: +39 06 44585431


AREA DI RICERCA:  Applicazioni elettroniche e sensoristiche del silicio amorfo idrogenato e sue leghe.

Giampiero de Cesare, nato a Napoli il 13/10/1954, è Professore Associato presso il Dipartimento di Ingegneria Elettronica della Università di Roma “La Sapienza” dal 1 Novembre 1998.

Dopo una prima fase di ricerca su testing non distruttivo di semiconduttori basato su applicazioni di onde acustiche superficiali su cristalli piezoelettrici, si dedica dal 1988 all'attività di ricerca su studio ed applicazioni di silicio amorfo idrogenato (a-Si:H) in elettronica a larga area e a basso costo. Tra queste le più importanti sono: celle solari a film sottile, dispositivi di switch in matrici attive, matrici di fotorivelatori.

Partendo dalla ottimizzazione delle proprietà elettriche ed ottiche del materiale l'attività di ricerca è oggi focalizzata sullo sviluppo di dispositivi in silicio amorfo per applicazioni elettroniche e sensoristiche.

Sono stati progettati e realizzati numerosi dispositivi innovativi a film sottile, tra i quali:  

1)     The UV Detector; cieco alla radiazione visibile e con efficienza quantica del 50% nell'ultravioletto da vuoto.[1]

2)     The Color Detector; a due terminali per la rivelazione dei tre colori fondamentali dello spettro visibile. [2]

3)     The Two Terminal Switching Device; a doppia soglia nelle caratteristiche corrente-tensione, integrabile come elemento non lineare in matrici attive fotosensibili e/o a cristallo liquido.[3]

4)     The Visible Infrared Photodetector; eterostruttura silicio cristallino/silicio amorfo per la rivelazione contemporanea di radiazioni visibili ed infrarosso.[4]

5)     Junction Fied Effect Transistor; per applicazioni di elettronica lineare su substrati flessibili.[5]

6)     Amorphous/Crystalline Silicon Heterostructure Solar Cell; Il 17% di efficienza è stato raggiunto tramite l'uso di un particolare "strato finestra" come elettrodo frontale della cella [6].

7)     Thin film mechanical stress sensor; per applicazioni in robotica avanzata come sensore tattile su substrati plastici.[7]

E’ autore di oltre 100 articoli internazionali su rivista e atti di congressi, e detiene due brevetti internazionali sui fotorivelatori a film sottile.

RIFERIMENTI

[1] G. de Cesare, F. Irrera, F. Palma, "Thin Film Detector of Ultraviolet radiation, with High Spectral Selectivity Option";. Patent US No 5682037 (1995).

[2] G. de Cesare, F. Irrera, F. Palma, "Voltage controlled variable spectrum photodetector for 2D colour image detection";. Patent US No 5.557.133, EP. No 0.682.375.A1 (1994).

[3] D. Caputo, G. de Cesare, "A Switching Device Based on a-Si:H n-i-dp-i-n Stacked Structure: Modeling and Characterization"; IEEE Trans of Electron Device, vol 43, p. 2109 (1996).

[4] D. Caputo, G. de Cesare, M. Tucci, "Characterization and Modeling of a Two Terminal Visible/Infrared Photodetector based on Amorphous/Crystalline Silicon Heterostructure"; Sensor and Actuators, vol. 88, n. 2, p. 139 (2001).

[5] D. Caputo, G. de Cesare, V. Kellezzi, F. Palma, "Design and Realization of an Amorphous Silicon Junction Field Effect Transistor for Digital and Analog Applications "; Appl. Phys. Lett., vol. 77, n. 9, p. 1390 (2000).

[6] G. de Cesare, M. Tucci, "17% Efficiency of Heterostructure Solar Cell based p-type Crystalline Silicon."; in pubblicazione su Journal of Non-Crystalline Solids (2003).

[7] G. de Cesare, M Gavesi, F. Palma, B. Riccò, "A novel a-Si:H mechanical stress sensor"; Thin Solid Films, vol. 427, p. 191 (2003).

 

 

 

 

 

 

 

 

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